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华米智能手表中惊现FD-SOI器件 工艺之争转向终端

导读: 在今年,业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的工艺技术比较,转移到由产品与应用所决定的技术竞争。

  OFweek可穿戴设备网讯 因为没有可见的终端产品能证明其号称超低功耗的特色,全耗尽绝缘硅(fully Depleted Silicon On Insulator,FD-SOI)工艺一直得努力克服半导体产业界许多工程师的质疑,例如:该技术的好处在哪?在商业市场上有实际产品吗?它真正的优势何在?

华米智能手表中惊现FD-SOI器件 工艺之争转向终端

  终于,现在有实际产品可以做为FD-SOI工艺的实证──是一只中国智能手机品牌业者小米(Xiaomi)产业链品牌华米(Huami)新推出的智能手表Amazfit,内建了日本大厂索尼(Sony)以28纳米FD-SOI工艺生产的GPS芯片。

  Amazfit定价120美元,配备了一系列运动追踪传感器以及蓝牙低功耗4.0芯片、Wi-Fi无线芯片、GPS芯片、心律传感器以及NFC;该款智能手表的独特之处在于较长的电池寿命,据华米表示,它能五天充电一次、或是开启GPS功能35小时。

  这是Sony的一场胜利,对FD-SOI支持者来说甚至是更大的胜利;华米的智能手表证明了该技术号称超低功耗的特性。

  华米智能手表中惊现FD-SOI器件 工艺之争转向终端

  华米新推出的Amazfit智能手表

  法国晶圆业者Soitec首席执行官Paul Boudre在接受EE Times访问时表示:“去年产业界对FD-SOI的讨论集中在该技术与另一种工艺技术FinFET之间的竞争;”而在今年,业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的工艺技术比较,转移到由产品与应用所决定的技术竞争。他指出,衡量FD-SOI的标准在于该技术能为终端产品带来的价值,也就是它实际的能源使用效益。

  Sony是在2015年1月于日本东京举行的SOI产业联盟会议上,发表以28纳米FD-SOI工艺技术制造的新一代全球卫星导航系统(GNSS)芯片;接着在今年初举行的国际固态电路会议(ISSCC)上,Sony的工程师团队发表了一篇关于28纳米FD-SOI工艺GNSS接收器的技术论文。

  华米智能手表中惊现FD-SOI器件 工艺之争转向终端

  Sony在2016年度ISSCC发表的GNSS接收器芯片RF电路 (图片来源:ISSCC)

  该篇Sony论文作者指出,GNSS是传感处理器的基础,至于该功能为何如此难以内建于可穿戴系统,是因为目前的GNSS接收器耗电量约10mW:“GNSS接收器的低噪声RF需要高供应电压,带来非常高的耗电。”

  Sony的设计工程师是透过有效利用FD-SOI工艺开发出的0.7V射频(RF)电路实现其技术突破;在上个月,Sony也参加了在中国上海举行的FD-SOI论坛,探讨该公司的FD-SOI工艺GNSS接收器最终成品。

  华米智能手表中惊现FD-SOI器件 工艺之争转向终端

  随着Sony完成了FD-SOI工艺的GPS/GNSS芯片RF与逻辑电路设计,该公司将持续追踪位置的RF功耗,从6.3mW (前一代芯片)大幅降低至1.5mW。

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责任编辑:Victor
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